[发明专利]一种GaN基发光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201610293359.1 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105914266A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 马后永;琚晶;游正璋;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长量子阱层；在所述量子阱层上生长P型GaN层；其中，所述N型GaN层或/和所述P型GaN层采用变温生长，所述变温生长中的温度为周期性波动温度。本发明所述N型GaN层或/和所述P型GaN层通过采用变温生长，可以改善所述N型GaN层或/和P型GaN层的晶体质量，进而提升GaN基发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长量子阱层；在所述量子阱层上生长P型GaN层；其中，所述N型GaN层或/和所述P型GaN层采用变温生长，所述变温生长中的温度为周期性波动温度。
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