[发明专利]制造半导体器件的方法与含氧相关热施主的半导体器件有效
| 申请号： | 201610294432.7 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN106128953B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | J·G·拉文;M·杰里纳克;H-J·舒尔策;W·舒斯特德;M·斯塔特穆勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体器件的方法与含氧相关热施主的半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括确定表示半导体晶圆(100)中的非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)的信息。基于与非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)有关的信息以及与半导体晶圆(100)中的氧相关热施主的生成速率或分解速率有关的信息，确定用于生成或分解氧相关热施主的处理温度梯度(Tproc(t))以补偿目标掺杂剂浓度(Dtarg)与非本征掺杂剂浓度(Dext)之差。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 相关 施主 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：确定表示半导体晶圆(100)中的非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)的信息；基于与所述非本征掺杂剂浓度(Dext)和所述本征氧浓度(Doi)有关的信息以及所述半导体晶圆(100)中氧相关热施主的生成速率或分解速率，确定用于生成或分解氧相关热施主的处理温度梯度(Tproc(t))以补偿目标掺杂剂浓度(Dtarg)与所述非本征掺杂剂浓度(Dext)之差，其中所述目标掺杂剂浓度(Dtarg)大于所述非本征掺杂剂浓度(Dext)；以及使所述半导体晶圆(100)经受应用所述处理温度梯度(Tproc(t))的第一热处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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