[发明专利]一种LED芯片的wafer分区测试方法在审
| 申请号： | 201610294826.2 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105914161A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 肖和平;陈亮;马祥柱;郑晓波;杨凯;张双翔 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种LED芯片的wafer分区测试方法，属于LED生产应用技术领域，对位于芯片外周的20～40圈的各晶粒进行逐一wafer测试，对位于芯片上述逐一wafer测试圈内的各晶粒按抽测比进行wafer测试。本发明结合LED芯片外延生长的特性，wafer光电性能呈现边缘离散，由边缘向中间区域集中的总体趋势，兼顾LED芯片wafer的品质与点测效率，本发明采用边缘光电性能离散区域全点测，中间光电性能集中区域抽测的方式，既对于LED芯片边缘实现了精准点测，又达到了LED芯片wafer品质与点测效率的提升的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 wafer 分区 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的wafer分区测试方法，其特征在于：对位于LED芯片外周的20～40圈的各晶粒进行逐一wafer测试，对位于芯片上述逐一wafer测试圈内的各晶粒按抽测比进行wafer测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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