[发明专利]一种四氯化硅氢化制备三氯氢硅的方法在审

专利信息
申请号: 201610296337.0 申请日: 2016-05-09
公开(公告)号: CN105967189A 公开(公告)日: 2016-09-28
发明(设计)人: 路战胜;王天兴;任延涛;耿振铎;杨新伟;周忠坡 申请(专利权)人: 河南师范大学
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107;B01J23/755;B01J23/78
代理公司: 新乡市平原专利有限责任公司 41107 代理人: 林海
地址: 453000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种四氯化硅氢化制备三氯氢硅的方法,包括:在催化剂存在下,将四氯化硅、氢气气流和硅粉接触,得到三氯氢硅;所述催化剂按如下方法制备:将可溶性镍盐、金属M的可溶性盐化合物、能够提供二氧化硅的硅源与能够沉淀镍和/或金属M离子的沉淀剂在溶剂中接触,将接触所得产物过滤,并将所得固体依次进行干燥和焙烧,所述M选自ⅠB、ⅡB、ⅡA和除Ni以外的第Ⅷ族金属中的一种或多种。按照本发明的方法制备三氯氢硅,具有以下优点:在四氯化硅氢化制备三氯氢硅的反应气氛下SiO2载体稳定,催化剂骨架不会像传统的加氢催化剂中的载体那样容易破坏,因此具有更长的使用寿命,且催化剂活性相比于现有技术常用的镍盐、铜盐催化剂活性提高。
搜索关键词: 一种 氯化 氢化 制备 三氯氢硅 方法
【主权项】:
一种四氯化硅氢化制备三氯氢硅的方法,该方法包括:在催化剂存在下,将四氯化硅、氢气气流和硅粉接触,得到三氯氢硅;其特征在于,所述催化剂按如下方法制备:将可溶性镍盐、金属M的可溶性盐化合物、能够提供二氧化硅的硅源与能够沉淀镍和/或金属M离子的沉淀剂在溶剂中接触,将接触所得产物过滤,并将所得固体依次进行干燥和焙烧,其中,所述M选自ⅠB、ⅡB、ⅡA和除Ni以外的第Ⅷ族金属中的一种或多种。
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