[发明专利]蓝宝石衬底纳米孔制备方法在审
| 申请号： | 201610296695.1 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN107346797A | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 王敏锐;桑伟华;王龙;林露;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法，包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜；在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；通过光刻机对光刻胶进行曝光；对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形；以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜，将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上；去除光刻胶，以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜，对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀，将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上；去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜；在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；对光刻胶进行曝光、显影，以形成纳米孔图形；以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜，将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上；去除光刻胶，以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜，对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀，将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上；去除所述单晶薄膜。
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