[发明专利]一种超低功耗半导体功率器件及制备方法在审
| 申请号： | 201610296881.5 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105914230A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 侯宏伟;丁磊 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/027;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡中瑞知识产权代理有限公司 32259 | 代理人： | 张玉平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻层数少、工艺简单的超低功耗半导体功率器件，包括：半导体基板，半导体基板上设置有元胞区和终端保护区，元胞区中设置有元胞，其结构包括：元胞沟槽，元胞沟槽中设置有上部导电多晶硅层和下部导电多晶硅层，上部导电多晶硅层的两侧为对称设置在下部导电多晶硅层两侧的伸出部，形成帽状结构；终端保护区上设置有至少两个分压环和至少一个截止环，靠近元胞区的分压沟槽中的导电多晶硅层与器件的源极电性相连，其余的分压沟槽内的导电多晶硅层浮置。本发明还公开了一种可用于制造上述超低功耗半导体功率器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 半导体 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超低功耗半导体功率器件，包括：半导体基板，半导体基板包括第一导电类型衬底及设置在第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的表面为第一主面，第一导电类型衬底的表面为第二主面；第一主面包括设置有元胞的元胞区以及位于元胞区的外围的终端保护区；其特征在于：所述元胞的具体结构包括：开设在元胞区的第一沟槽即元胞沟槽，元胞沟槽中设置有上部导电多晶硅层和下部导电多晶硅层，上部导电多晶硅层的两侧为对称设置在下部导电多晶硅层两侧的伸出部，形成帽状结构；上、下部导电多晶硅层之间设置有第二绝缘栅氧化层，上部导电多晶硅层两侧的侧面与元胞沟槽之间设置有第一绝缘栅氧化层，上部导电多晶硅层两侧的底面与元胞沟槽之间设置有绝缘氧化层；所述的终端保护区上设置有至少两个分压环和位于分压环外围的至少一个截止环，所述分压环的具体结构包括：开设在终端保护区上的第一沟槽即分压沟槽，分压沟槽中设置有导电多晶硅层以及用于将该导电多晶硅层与分压沟槽隔离的绝缘氧化层，该导电多晶硅层的顶面不高于所述的第一主面，靠近元胞区的第一个分压沟槽内的导电多晶硅层与所述器件的源极电性相连，其余的分压沟槽内的导电多晶硅层浮置。
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