[发明专利]用于原子层沉积和化学气相沉积反应器的使用点阀歧管有效
申请号: | 201610297292.9 | 申请日: | 2013-06-17 |
公开(公告)号: | CN105821394B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 拉梅什·钱德拉塞卡拉;夏春光;卡尔·F·利泽;达明·斯莱文;托马斯·G·朱厄尔 | 申请(专利权)人: | 诺发系统公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;F16K27/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种用于原子层沉积和化学气相沉积反应器的使用点阀歧管(POU阀歧管),其允许多个前体通过共同的出口被输送到半导体处理室。该歧管可具有多个前体入口和清除气体入口。该歧管可配置成使得当清除气体按照路线通过该歧管时歧管中存在零死角,并且可以提供POU阀两侧交替的安装位置。一个或多个内部流动路径容积可包括弯头特征。 | ||
搜索关键词: | 用于 原子 沉积 化学 反应器 使用 歧管 | ||
【主权项】:
1.一种在半导体加工工具中使用的阀歧管,其包括:歧管主体;清除气体入口;歧管出口,所述歧管出口位于所述歧管主体的第一侧;第一阀接口,所述第一阀接口位于所述歧管主体的不同于所述第一侧的第二侧;第二阀接口,所述第二阀接口位于所述歧管主体的不同于所述第一侧和所述第二侧的第三侧;转储分流出口;以及转储分流阀接口,其中:所述第一阀接口和所述第二阀接口每个包括第一端口、第二端口和第三端口,所述第一阀接口的所述第二端口被配置为连接到第一处理气体供给源,所述第一阀接口的所述第三端口通过所述歧管主体内部的第一流动路径与所述第二阀接口的所述第一端口流体连接,并没有死角,所述第二阀接口的所述第二端口与配置为连接到第二处理气体供给源的接口流体连接,所述第二阀接口的所述第三端口通过所述歧管主体内部的第二流动路径与所述歧管出口流体连接,并没有死角,所述转储分流阀接口包括第一端口和第二端口,所述转储分流阀接口的所述第一端口通过所述歧管主体内部的第五流动路径与所述第二阀接口的所述第二端口流体连接,以及所述转储分流阀接口的所述第二端口通过所述歧管主体内部的第六流动路径与所述转储分流出口流体连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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