[发明专利]一种硅掺杂二氧化钛纳米线光电极的制备方法有效
| 申请号： | 201610297937.9 | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN105967278B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 赵惠军;陆阳;宋杰瑶;张勇;张海民;张云霞;汪国忠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C02F1/461 | 分类号： | C02F1/461;C02F1/30;H01G9/20;H01G9/042;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;李闯 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅掺杂二氧化钛纳米线光电极的制备方法，包括以下步骤：采用传统水热法在FTO导电玻璃基底上生长含硅的金红石二氧化钛纳米线阵列，从而制得含硅的二氧化钛纳米线光电极；采用气相水热法用硫化氢原位还原所述含硅的二氧化钛纳米线光电极；对还原后的含硅的二氧化钛纳米线光电极进行退火处理，从而制得硅掺杂二氧化钛纳米线光电极。本发明不仅制备工艺简单、设备成本和原料成本低廉、掺杂效果好，而且所制得的光电极具有优异的稳定性和光电子传输能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 纳米 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅掺杂二氧化钛纳米线光电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A、采用传统水热法在FTO导电玻璃基底上生长含硅的金红石二氧化钛纳米线阵列，从而得到含硅的二氧化钛纳米线光电极，所掺杂的硅来自于FTO导电玻璃基底；步骤B、采用气相水热法用硫化氢原位还原所述含硅的二氧化钛纳米线光电极；其中，所述的采用气相水热法用硫化氢原位还原所述含硅的二氧化钛纳米线光电极包括：在水热反应釜中放入产生硫化氢气体的试剂，并将所述含硅的二氧化钛纳米线光电极放置于所述试剂的上方，然后将该反应釜密封，并进行水热反应，以还原所述含硅的二氧化钛纳米线光电极；步骤C、对步骤B还原后的含硅的二氧化钛纳米线光电极进行退火处理，从而制得硅掺杂二氧化钛纳米线光电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院合肥物质科学研究院，未经中国科学院合肥物质科学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610297937.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种教学系统中笔迹实时分享的方法及装置
- 下一篇：应用包名验证方法及装置
