[发明专利]一种在柔性塑料衬底上电沉积制备ZnO纳米片薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201610298064.3 申请日: 2016-05-09
公开(公告)号: CN105714351B 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 张明喆;肖传海 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C25D9/04 分类号: C25D9/04;C25D5/56
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司22201 代理人: 王恩远
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明的一种在柔性塑料衬底上电沉积制备ZnO纳米片薄膜的方法属于功能纳米材料相关的技术领域。把硅片放置在TEC上面,在硅片上平行放置两个锌箔电极,在电极之间滴加Zn(NO3)2电解液,盖上PET薄片,利用TEC与循环水浴使硅片与PET薄片之间形成一个冰层,静置30分钟后在两电极之间施加直流电压,待沉积物停止生长,将所得产物用去离子水清洗,得到生长了ZnO纳米片薄膜的柔性塑料衬底。本发明中生长在柔性衬底的纳米材料在柔性电子学、柔性光学、柔性传感器等领域具有潜在的应用价值。
搜索关键词: 一种 柔性 塑料 衬底 沉积 制备 zno 纳米 薄膜 方法
【主权项】:
一种在柔性塑料衬底上电沉积制备ZnO纳米片薄膜的方法,有以下步骤:首先把硅片放置于生长室中的热电制冷器上,生长室与循环水浴连接,循环水浴用于控制生长室温度,在硅片上平行放置两个厚度为30μm的电极,电极间距为1cm,在电极之间滴加含有Zn(NO3)2的电解液,Zn(NO3)2浓度为0.01~0.05mol/L,盖上柔性塑料衬底,调节循环水浴,控制生长室内温度为‑1.5~‑2.4℃;热电制冷器两端加+3V电压,使朝向硅片的面制冷;当硅片与柔性塑料衬底之间形成一个冰层时,把热电制冷器两端的电压改为‑0.3V,使冰层逐渐融化,通过显微镜观察,当冰层只剩下一个直径为0.1mm的冰核时停止加电压,冰核逐渐变大直至布满两电极之间后,静置30分钟,然后在两电极间施加0.8~1.4V的直流恒定电压,在柔性塑料衬底上开始生长ZnO纳米片,通过显微镜观察,待停止生长后,取出柔性塑料衬底,用去离子水清洗,晾干,得到生长了ZnO纳米片薄膜的柔性塑料衬底。
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