[发明专利]一种抗闩锁IGBT器件

摘要

本发明涉及一种抗闩锁IGBT器件，其在半导体基板的第一导电类型基区内设置若干规则排布且相互平行分布的有源元胞，所述有源元胞包括位于第一导电类型基区内上部的第二导电类型基区以及位于所述第二导电类型基区内的第一导电类型源极区，所述第二导电类型基区、第一导电类型源极区与半导体基板第一主面上的源极金属欧姆接触；在所述第二导电类型基区内还设有第一导电类型阻挡环，所述第一导电类型阻挡环位于第一导电类型源极区的外圈，第一导电类型阻挡环外部以及第一导电类型阻挡环与第一导电类型源极之间是第二导电类型基区，第一导电类型阻挡环的一端通过半导体基板第一主面上的绝缘介质层与源极金属绝缘隔离，另一端与沟道侧壁接触。本发明结构紧凑，能有效减少发生闩锁的风险，为降低导通压降提供基础，与现有工艺相兼容，安全可靠。

主权项

1.一种抗闩锁IGBT器件，包括具有两个相对主面的半导体基板，半导体基板的两个相对主面包括第一主面以及与第一主面相对应的第二主面；半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型基区；在半导体基板的第一导电类型基区内设置若干规则排布且相互平行分布的有源元胞，所述有源元胞包括位于第一导电类型基区内上部的第二导电类型基区以及位于所述第二导电类型基区内的第一导电类型源极区，所述第二导电类型基区、第一导电类型源极区与半导体基板第一主面上的源极金属欧姆接触；其特征是：在所述第二导电类型基区内还设有第一导电类型阻挡环，所述第一导电类型阻挡环位于第一导电类型源极区的外圈，第一导电类型阻挡环与第一导电类型源极区间通过第二导电类型基区间隔，第一导电类型阻挡环的一端通过半导体基板第一主面上的绝缘介质层与源极金属绝缘隔离，另一端与有源元胞的导电沟道侧壁接触。