[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201610298551.X | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN106129124B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 理崎智光 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储装置。由半导体形成的浮栅由导电型的极性不同的第1浮栅和第2浮栅构成。通过所述第2浮栅的价电子带的空穴的减少来存储电子经由隧道绝缘膜而注入到所述第1浮栅的状态，通过所述第2浮栅的价电子带的空穴的增加来存储电子经由所述隧道绝缘膜而从所述第1浮栅排出的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其具有：隧道绝缘膜；以及浮栅，其具有与所述隧道绝缘膜相接的第1浮栅和与所述第1浮栅相接的第2浮栅，在该半导体存储装置中，通过所述第2浮栅的价电子带的空穴的减少来存储电子经由所述隧道绝缘膜而注入到所述第1浮栅的状态，通过所述第2浮栅的价电子带的空穴的增加来存储电子经由所述隧道绝缘膜而从所述第1浮栅排出的状态。
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