[发明专利]纳米CuSbS2材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610300035.6 申请日: 2016-05-09
公开(公告)号: CN105858723A 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 谭国龙;徐期树;盛号号 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C01G30/00 分类号: C01G30/00;B82Y30/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 刘洋
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种纳米CuSbS2材料的制备方法,将高纯Cu、Sb与S粉末的混合物作为原材料密封在球磨罐,球磨罐密封后放入在手套箱里,充满惰性气体除去原材料中的氧气;将球磨罐安装在球磨机上进行机械球磨,30min后得到半导体化合物CuSbS2纳米晶。所制得的二硫锑铜纳米晶化学成分均匀、结构单一,表面没有杂质等覆盖物,很好的显示了材料的本征物理性能。由于其良好的光电性能,使其能成为一种可实用化的光电器件材料,如可用于红外探测、红外遥感、红外传感等领域。此外具有制备工艺简单、原料易得且价格便宜、属于对环境友好型,且可实现大批量生产等优点。
搜索关键词: 纳米 cusbs sub 材料 制备 方法
【主权项】:
CuSbS2纳米晶体的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)将高纯Cu、Sb与S粉末的混合物作为原材料密封在球磨罐,球磨罐密封后放入在手套箱里,充满惰性气体除去原材料中的氧气;2)将球磨罐安装在球磨机上进行机械球磨,调整球磨机马达的运转速率为1200r/min以上,30min后得到半导体化合物CuSbS2纳米晶。
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