[发明专利]多端口SRAM模块及其控制方法有效
| 申请号： | 201610300869.7 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN106251905B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 朱俐玮;连南钧 | 申请（专利权）人： | 円星科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/08 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 贾磊<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多端口SRAM模块及其控制方法，该模块包含：一记忆体单元阵列，包含多列记忆体单元，每一记忆体单元包含至少一第一控制端口及一第二控制端口；一第一字元线，耦接一目标列的多个记忆体单元，用来控制该第一控制端口是否开启；一第二字元线，耦接该目标列的多个记忆体单元，用来控制该第二控制端口是否开启；以及一开关元件，耦接该第一字元线及该第二字元线，系依据该第一字元线的电位决定是否将该第二字元线耦接至一参考电位。 | ||
| 搜索关键词： | 多端 sram 模块 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多端口SRAM模块，其特征在于，包含：/n一记忆体单元阵列，包含多列记忆体单元，每一记忆体单元包含至少一第一控制端口及一第二控制端口；/n一第一字元线，耦接一目标列的多个记忆体单元，用来控制该第一控制端口是否开启；/n一第二字元线，耦接该目标列的多个记忆体单元，用来控制该第二控制端口是否开启；以及/n一开关元件，耦接该第一字元线及该第二字元线，依据该第一字元线的电位决定是否将该第二字元线耦接至一参考电位；/n其中，当该第一字元线不致能且该第二字元线致能时，该第二字元线具有一第一致能电位，当该第一字元线及该第二字元线同时致能时，一第二致能电位致使该第二字元线驱动抑制。/n
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