[发明专利]阵列基板及其制作方法、以及显示装置有效
申请号: | 201610301057.4 | 申请日: | 2016-05-09 |
公开(公告)号: | CN105914212B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 罗兴友;蔡佩芝;陈希;马磊;李金钰;李彦辰;庞凤春;曹雪;侯少军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 李烨;李峥 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例提供阵列基板及其制作方法、以及显示装置。阵列基板包括多个像素结构,像素结构包括依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极、钝化层。其中,像素结构还包括第一电极、第二电极。第一电极位于栅极绝缘层和钝化层之间,第一电极与源极电连接。第二电极位于钝化层上。其中,钝化层包括第一过孔,第二电极通过第一过孔与源极电连接。根据本发明的实施例,增加了像素电路中的存储电容,能够在不变更掩膜版的情况下,减轻显示屏画面闪烁。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,包括多个像素结构,所述像素结构包括依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极、钝化层;其中,所述像素结构还包括第一电极、第二电极;所述第一电极位于所述栅极绝缘层和所述钝化层之间,所述第一电极与所述源极电连接;所述第二电极位于所述钝化层上;其中,所述钝化层包括第一过孔,所述第二电极通过所述第一过孔与所述源极电连接;所述阵列基板还包括周边区域,所述周边区域包括依次设置的栅极层、栅极绝缘层、源漏层、钝化层;其中,所述周边区域还包括第一电极层、第二电极层;在所述周边区域:所述第一电极层位于所述栅极绝缘层和所述钝化层之间,所述第一电极层与所述源漏层电连接;所述第二电极层位于所述钝化层上;其中,所述钝化层包括第二过孔以及第三过孔;所述第二电极层通过所述第二过孔与所述源漏层电连接;所述第三过孔贯穿所述栅极绝缘层,所述第二电极层通过所述第三过孔与第一电极层以及所述栅极层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的