[发明专利]氮化镓芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610301799.7 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN106299071A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 裴风丽 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 张玲 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化镓芯片及其制备方法，所述氮化镓芯片包括氮化物半导体层、散热衬底、保护层，所述氮化物半导体层位于所述散热衬底和所述保护层之间，所述氮化物半导体层与所述保护层之间设置有欧姆电极和肖特基电极。本发明提供的氮化镓芯片及其制备方法通过将高质量的氮化物半导体层转移到热导率较高的散热衬底上，使得氮化镓芯片内部的热量通过散热衬底快速散发出去，保证了氮化镓芯片性能的正常发挥，提高了氮化镓芯片的稳定性和可靠性，以此解决氮化镓芯片自热的问题。同时在转移的过程中，将缺陷与位错较高的部位去除掉，进一步提高了氮化镓芯片的性能，提高了氮化镓芯片的寿命和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓芯片，其特征在于，包括氮化物半导体层、散热衬底、保护层，所述氮化物半导体层位于所述散热衬底和所述保护层之间，所述氮化物半导体层与所述保护层之间设置有欧姆电极和肖特基电极。
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