[发明专利]一种红黄光发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610301831.1 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN105914273B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王世俊;邢振远;李彤;董耀尽 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红黄光发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括N型衬底、N型缓冲层、N型反射层、N型限制层、电子阻挡层、多量子阱层、空穴调整层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层，电子阻挡层包括AlGaInP层和AlInP层，空穴调整层包括第一子层和至少两层第二子层，第一子层为非掺杂的AlInP层，第二子层包括P型掺杂的AlInP层和非掺杂的AlInP层，P型掺杂的AlInP层的掺杂浓度小于P型限制层的掺杂浓度。本发明通过电子阻挡层延缓电子达到多量子阱层，空穴调整层使得空穴均匀分布在临近多量子阱层的区域，增加电子和空穴的复合几率，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红黄光 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种红黄光发光二极管外延片，所述红黄光发光二极管外延片包括N型衬底、以及依次层叠在所述N型衬底上的N型缓冲层、N型反射层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层，其特征在于，所述红黄光发光二极管外延片还包括层叠在所述N型限制层和所述多量子阱层之间的电子阻挡层、以及层叠在所述多量子阱层和所述P型限制层之间的空穴调整层，所述电子阻挡层包括AlGaInP层和AlInP层，所述空穴调整层包括第一子层和至少两层第二子层，所述第一子层设置在所述多量子阱层上，所述第一子层为非掺杂的AlInP层，所述第二子层包括P型掺杂的AlInP层和非掺杂的AlInP层，所述P型掺杂的AlInP层的掺杂浓度小于所述P型限制层的掺杂浓度。
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