[发明专利]三层微桥结构、三层非制冷微测辐射热计及其制备方法有效
| 申请号： | 201610302609.3 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN106052883B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 陈超;王涛;马振东;马家锋;伍浏权;齐元 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三层微桥结构，包括桥面、第二层微桥、第一层微桥、左右铝电极，该微桥结构最上层的桥面铺有光吸收材料以及热敏电阻薄膜和钝化层，桥面与第二层微桥之间形成上层光学谐振腔，两层微桥之间构成了中层光学谐振腔，第一层微桥和底层硅衬底之间构成了下层光学谐振腔，本发明还提供一种包含所述微桥结构的三层非制冷微测辐射热计及其制备方法，本发明微桥结构有三个谐振腔，光学吸收效率得到极大提升；其次在仿真过程中，同样的应力条件下，三层S型微桥结构比单层L型和双层S型两种结构的形变量都要小，这保证了微桥结构良好的力学稳定性。同时，桥腿的增长也提升了器件整体的温升。 | ||
| 搜索关键词： | 三层 结构 制冷 辐射热 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三层微桥结构，其特征在于：包括桥面、第二层微桥、第一层微桥、镶嵌在硅衬底之间的左、右铝电极，桥面和第二层微桥之间、第二层微桥和第一层微桥之间、第一层微桥和左右铝电极之间分别设有隔离层，该微桥结构最上层的桥面铺有光吸收材料以及热敏电阻薄膜和钝化层，桥面与第二层微桥之间形成上层光学谐振腔，两层微桥之间构成了中层光学谐振腔，第一层微桥和底层硅衬底之间构成了下层光学谐振腔，所述两层微桥、最上层桥面以及衬底之间依次电连接。
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