[发明专利]一种抗还原X9R型介质陶瓷材料有效

专利信息
申请号: 201610302614.4 申请日: 2016-05-10
公开(公告)号: CN105967681B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 资美勇;吴浩;杨诚锐;何大强 申请(专利权)人: 湖北天瓷电子材料有限公司
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/622;C04B41/88;C04B35/64;H01G4/30;H01G4/12
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地址: 448000 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种抗还原X9R型介质陶瓷材料,包括主材料和烧结助剂,所述主材料的化学通式为:(Bix1Mx1Nx2Ba1‑x1‑x2)(Mny1Mgy2Ny3Ti1‑y1‑y2‑y3)O3;所述主材料通式中的M为选自Li、Na和K中的一种;所述主材料通式中的N为选自Y、Dy、Ho和Er中的一种;其中,0.02<x1<0.10,0<x2<0.01,0.001<y1<0.01,0.003<y2<0.01,0<y3<0.01;所述烧结助剂的化学通式为:BazCa1‑zSiO3,其中0.4<z<0.6;所述烧结助剂与主材料的重量份配比为:1‑5:100。本发明有益效果是:本发明所述的X9R型介质陶瓷材料既满足X9R温度特性,又能在还原气氛烧结后得到高的电阻率,可以应用于制备镍电极X9R陶瓷电容器。
搜索关键词: 一种 还原 x9r 介质 陶瓷材料
【主权项】:
1.一种抗还原X9R型介质陶瓷材料,其特征在于包括主材料和烧结助剂,所述主材料的化学通式为:(Bix1Mx1Nx2Ba1‑x1‑x2)(Mny1Mgy2Ny3Ti1‑y1‑y2‑y3)O3;所述主材料通式中的M为选自Li、Na和K中的一种;所述主材料通式中的N为选自Y、Dy、Ho和Er中的一种;其中,0.02<x1<0.10,0<x2<0.01,0.001<y1< 0.01,0.003<y2< 0.01, 0<y3< 0.01;所述烧结助剂的化学通式为:BazCa1‑zSiO3,其中0.4<z<0.6;所述烧结助剂与主材料的重量份配比为:1‑5:100。
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