[发明专利]一种高效近红外发光的低维锗硅量子材料及其制备方法

摘要

本发明提供一种高效近红外发光的低维锗硅量子材料及其制备方法，属搬半导体量子点发光技术领域。本发明主要采用溅射技术，采用离子溅射仪溅射以1nm/min速率在室温下溅射金纳米薄膜，或采用磁控射频溅射技术，在预处理后的硅基底上生长10nm‑100nm银纳米薄膜，然后在银或金纳米薄膜上依次生长30nm‑80nm的Si缓冲层，及单层Ge/Si量子材料，并进行退火，获得低维锗硅量子材料。本发明通过生长一层银或金纳米薄膜，有效的提高了Ge/Si量子材料的近红外发光，该硅基量子点材料与传统的半导体行业具有良好的兼容性，制备方法安全性高，生产工艺简单，在红外探测上具有广阔的应用前景。

主权项

一种高效近红外发光的低维锗硅量子材料，其特征在于：该材料的包括：硅基片，依次生长在硅基片上的薄膜层、Si缓冲层、Ge/Si层；所述薄膜层为银、金纳米薄膜，Ge/Si层为Ge/Si量子点、量子阱、纳米团簇中的一种。