[发明专利]一种高产玉米的杂交育种方法

摘要

本发明公开了一种高产玉米的杂交育种方法，包括如下步骤：选用优良的玉米品种作为玉米父本和玉米母本进行杂交，得到杂交组合F1代种子；在筛选种植条件下，利用所得的F1代种子自交形成二环系群体，并从中选择具有筛选性状的特异株自交10代以上，得到性状稳定的第二母本；通过基因枪法将含有BT杀虫毒蛋白基因、bar基因、玉米矮花叶病毒外壳蛋白基因DMVCPDNA的DNA质粒导入上述第二母本的苗细胞、组织或器官，进行培养、筛选。本发明通过在低磷、干旱及盐碱条件下筛选玉米第二母本，并通过基因枪法的协同作用，从而获得了磷吸收效果高，且具有优良的抗虫性、抗草性、抗病性、耐旱性、耐盐碱的种子。

主权项

一种高产玉米的杂交育种方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、选用适宜当地种植，抗病虫、抗倒、分蘖弱、穗大、结实率高的优质、高产品种作为玉米父本和玉米母本进行杂交，得到杂交组合F1代种子；S2、在筛选种植条件下，利用所得的F1代种子自交形成二环系群体，并从中选择具有筛选性状的特异株自交10代以上，得到性状稳定的第二母本；具体的，在低磷条件下播种种子，在玉米植株长至七叶期至乳化期之间，对玉米植株进行干旱处理，不再向玉米种植区中浇灌水；并在乳熟期之后1～2天内向玉米种植区中浇灌盐碱水至盐碱水高出地面1～5cm，之后对玉米正常浇灌水分；S3、通过基因枪法将含有BT杀虫毒蛋白基因、bar基因、玉米矮花叶病毒外壳蛋白基因MDMVCPDNA的DNA质粒导入上述第二母本的苗细胞、组织或器官，经75％乙醇表面消毒后，置于分化培养基上，于25℃～27℃条件下避光恢复培养一天，光照下培养3天后，转移至1/2MS+IBA4.8mg/L+NAA0.04mg/L培养基中继续培养遮光恢复培养一天；S4、至抗性芽生长至1cm以上后，将其移入生根培养基：改良MS+0.04mg/LNAA+0.75mg/L6‑BA+0.075mg/LIBA+35g/L蔗糖培养基中继续培养，幼苗生长至根系发达、茎叶健壮后对品质性状进行全面测定，筛选产量高、综合抗性强、品质优良的品系移入温室中，常规培育，直至结种。