[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种可靠性高、散热性好、并且低电阻的半导体装置。并提供一种能够生产率良好地制造该半导体装置的半导体装置的制造方法。在选择性地除去覆盖半导体晶片1的正面的由热固性树脂构成的表面保护膜13而形成的切割线2形成从半导体晶片1的正面起算预定深度d的槽3。通过在切割线2形成槽3，能够确保由于在用于形成表面保护膜13的致密化时产生的表面保护膜13的热收缩而施加到半导体晶片1的正面侧的压缩应力的排出通道。由此，施加到半导体晶片1的正面侧的压缩应力被缓和，因此之后容易进行半导体晶片1的薄板化。然后，在薄板化后的半导体晶片1的背面形成背面电极之后，切割半导体晶片1而使其单片化。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：元件形成工序，在半导体晶片的正面侧形成元件结构；保护膜形成工序，在所述元件形成工序之后，在所述半导体晶片的正面形成由热固性树脂构成的表面保护膜；除去工序，将选择性地除去所述表面保护膜而使所述半导体晶片的正面露出的部分设为切割线，该切割线成为切割所述半导体晶片时的切缝；致密化工序，在所述除去工序之后使所述表面保护膜致密化；槽形成工序，在所述半导体晶片的正面的所述切割线的位置形成从所述半导体晶片的正面起算预定深度的槽；以及薄板化工序，在所述槽形成工序之后，从背面侧对所述半导体晶片的厚度进行薄板化处理。