[发明专利]〈311〉直拉硅片的一种热处理方法

摘要

本发明公开了<311>直拉硅片的一种热处理方法。所述热处理方法包括以下步骤：(1)在氧气气氛下，将直拉硅片在1200～1250℃下热处理5～10分钟；(2)在保护性气体气氛下，将经步骤(1)处理的直拉硅片以50～60℃/秒的升温速度加热到1200～1250℃并保持60秒，然后以50～80℃/秒的冷却速度冷却到600℃，再自然冷却；(3)在保护性气体气氛下，将经步骤(2)处理的直拉硅片在800℃下热处理4小时；(4)在保护性气体气氛下，将经步骤(3)处理的直拉硅片在1000℃下热处理8小时。本发明方法能有效消除COP，降低<311>硅片近表面的缺陷数，降低表面平均微粗糙度。

主权项

1.<311>直拉硅片的一种热处理方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在氧气气氛下，将直拉硅片在1200～1250℃下热处理5～10分钟；(2)在保护性气体气氛下，将经步骤(1)处理的直拉硅片以50～60℃/秒的升温速度加热到1200～1250℃并保持60秒，然后以50～80℃/秒的冷却速度冷却到600℃，再自然冷却；(3)在保护性气体气氛下，将经步骤(2)处理的直拉硅片在800℃下热处理4小时；(4)在保护性气体气氛下，将经步骤(3)处理的直拉硅片在1000℃下热处理8小时，所述直拉硅片的间隙氧浓度为7.1×1017～8.5×1017cm‑3，所述直拉硅片的空洞型缺陷的个数为3173～3567，所述直拉硅片的表面平均微粗糙度为0.0788～0.0963nm。