[发明专利]瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201610304945.1 | 申请日： | 2016-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN105932010B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 周源;唐晓琦;巨长胜 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L27/02;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了瞬态电压抑制器。所述瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第一掺杂区；位于所述半导体衬底上的外延层；从所述外延层表面延伸到所述半导体衬底的导电通道；位于所述外延层中的第二掺杂区；以及位于所述第二掺杂区中的第三掺杂区。所述瞬态电压抑制器包括穿通二极管，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区分别作为所述穿通二极管的集电区、基区和发射区,所述导电通道与所述半导体衬底接触，且与所述第一掺杂区和所述外延层中的至少一个接触，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区上方且与所述导电通道分隔开。该瞬态电压抑制器采用穿通二极管降低工作电压，从而提高大功率下的静电释放能力。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬态 电压 抑制器 | ||
【主权项】：
1.一种瞬态电压抑制器，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第二掺杂类型的第一掺杂区，其中第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；位于所述半导体衬底上的第二掺杂类型的外延层；从所述外延层表面延伸到所述半导体衬底的导电通道；位于所述外延层中的第一掺杂类型的第二掺杂区；以及位于所述第二掺杂区中的第二掺杂类型的第三掺杂区，其中，所述瞬态电压抑制器包括穿通二极管，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区分别作为所述穿通二极管的集电区、基区和发射区，所述导电通道与所述半导体衬底接触，且与所述第一掺杂区和所述外延层中的至少一个接触，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区上方且与所述导电通道分隔开。
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