[发明专利]自旋转移扭矩存储元件和存储装置

摘要

本发明公开了自旋转移扭矩存储元件和存储装置，该存储元件包括含有CoFeB的第一部分；含有CoFeB的第二部分；中间部分，介于所述第一部分与所述第二部分之间，其中，所述中间部分含有MgO；第三部分，与所述中间部分相对地邻接所述第二部分，所述第三部分含有Ag、Au、Cr、Cu、Hf、Mo、Nb、Os、Re、Ru、Ta、W和Zr中的至少一种；以及第四部分，与所述第二部分相对地邻接所述第三部分，所述第四部分含有Co、Fe、Pd和Pt中的至少一种的合金。

主权项

一种自旋转移扭矩存储元件，包括：含有CoFeB的磁性自由层；含有CoFeB的磁化固定层；中间层，介于所述磁性自由层与所述磁化固定层之间，其中，所述中间层含有MgO；磁性耦合层，与所述中间层相对地邻接所述磁化固定层，所述磁性耦合层含有Ag、Au、Cr、Cu、Hf、Mo、Nb、Os、Re、Ru、Ta、W和Zr中的至少一种；以及高矫顽力层，与所述磁化固定层相对地邻接所述磁性耦合层，所述高矫顽力层含有Co、Fe、Pd和Pt中的至少一种的合金。