[发明专利]栅极对准接触部及其制造方法有效
| 申请号： | 201610305963.1 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105870191B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | O·戈隆茨卡;S·希瓦库马;C·H·华莱士;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了栅极对准接触部和形成栅极对准接触部的方法。例如，制造半导体结构的方法包括在形成于衬底之上的有源区之上形成多个栅极结构。栅极结构每个均包括栅极电介质层、栅极电极和侧壁间隔体。多个接触插塞被形成，每个接触插塞直接在多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的侧壁间隔体之间形成。多个接触部被形成，每个接触部直接在多个栅极结构的两个相邻栅极结构的侧壁间隔体之间形成。多个接触部和多个栅极结构在形成所述多个接触插塞之后形成。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 对准 接触 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：多个栅极结构，其在布置在衬底之上的三维有源区的顶表面之上并沿着所述三维有源区的侧壁布置，所述多个栅极结构中的每一个均包括栅极电介质层、栅极电极、侧壁间隔体和位于所述侧壁间隔体之间且与所述侧壁间隔体横向相邻的电介质盖层，其中所述侧壁间隔体包括第一电介质材料，其中所述电介质盖层包括独立于且区别于所述第一电介质材料的第二电介质材料，并且其中所述侧壁间隔体的所述第一电介质材料与所述电介质盖层的所述第二电介质材料在基本竖直的界面处相交；多个接触部，所述多个接触部中的每一个均布置在所述多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的所述侧壁间隔体之间，并且所述多个接触部中的每一个的顶表面与所述多个栅极结构的所述电介质盖层的顶表面基本上共面；以及多个接触插塞，所述多个接触插塞中的每一个均布置在所述多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的所述侧壁间隔体之间，并且所述多个接触插塞中的每一个的顶表面与所述多个栅极结构的所述电介质盖层的所述顶表面基本上共面且与所述多个接触部的所述顶表面基本上共面。
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