[发明专利]湿法刻蚀装置及其防爆方法有效
申请号: | 201610307235.4 | 申请日: | 2016-05-10 |
公开(公告)号: | CN105977186B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 李嘉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种湿法刻蚀装置及其防爆方法,利用加热器(22)监控储液箱(2)内的温度,当储液箱(2)内的温度达到预设的温度上限时,通过控制装置(23)自动关闭加热器(22),打开腔室清洗装置(11)喷出清洗水,清洗水对刻蚀反应腔(1)进行冲洗后,回流至储液箱(2)内并与储液箱(2)内的刻蚀药液中和,使得储液箱(2)内的温度降低,能够有效监控并及时降低储液箱(2)内的温度,防止储液箱(2)内的温度过高发生爆炸,保障生产安全,提升生产稼动率。 | ||
搜索关键词: | 湿法 刻蚀 装置 及其 防爆 方法 | ||
【主权项】:
1.一种湿法刻蚀装置,其特征在于,包括:刻蚀反应腔(1)、设于所述刻蚀反应腔(1)内的腔室清洗装置(11)、与刻蚀反应腔(1)连通的储液箱(2)、设于所述储液箱(2)内的加热器(22)、设于储液箱(2)底部并与所述储液箱(2)连通的排液管(3)、设于储液箱(2)侧上方表面的溢流口(4)、连通所述溢流口(4)和排液管(3)的溢流管(5)、以及与所述腔室清洗装置(11)、加热器(22)电性连接的控制装置(23);所述储液箱(2)容置刻蚀药液,所述加热器(22)加热刻蚀药液并监控储液箱(2)内的温度,所述控制装置(23)在储液箱(2)内的温度达到预设的温度上限时关闭加热器(22),打开腔室清洗装置(11)喷出清洗水,清洗水对刻蚀反应腔(1)进行冲洗后,回流至储液箱(2)内并与储液箱(2)内的刻蚀药液中和,降低储液箱(2)内的温度;所述清洗水为去离子水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造