[发明专利]垂直磁记录介质及磁记录再生装置有效
| 申请号： | 201610307404.4 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN106205644B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 徐晨;黑川刚平 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/70 | 分类号： | G11B5/70;G11B5/706;G11B5/73 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种至少在非磁性基板之上依次积层了软磁性层、底层、中间层、及垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中：所述软磁性层至少具有非晶体结构的软磁性膜；所述底层具有第1底层和第2底层，该第2底层位于所述第1底层和所述中间层之间；所述第1底层由非晶体结构的TiV合金构成；所述第2底层由NiW合金构成，该NiW合金包括从Co、Cu、Al、Cr、及Fe所组成的组中所选择的至少一种元素；所述中间层包括Ru或Ru合金；及所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层按该顺序进行了积层。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 再生 装置 | ||
【主权项】：
1.一种至少在非磁性基板之上依次积层了软磁性层、底层、中间层、及垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中：所述软磁性层至少具有非晶体结构的软磁性膜，所述底层具有第1底层和第2底层，该第2底层位于所述第1底层和所述中间层之间，所述第1底层由非晶体结构的TiV合金构成，所述第2底层由NiW合金构成，该NiW合金包括从Co、Cu、Al、Cr、及Fe所组成的组中所选择的至少一种元素，所述中间层包括Ru或Ru合金，所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层按所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层的顺序进行了积层。
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