[发明专利]一种基于非隔离电源芯片的隔离电源的控制方法在审
| 申请号： | 201610307765.9 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105915062A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 高计丰;蔡鸿东 | 申请（专利权）人： | 福建星网智慧科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 宋连梅 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于非隔离电源芯片的隔离电源的控制方法，接通电源VI，电压加载到耦合电感的主线圈LPRI中，能量储存直到功率开关Q1关闭；从耦合电感的副线圈LSEC，通过输出二极管CR1将电压传送到输出电容C和负载电阻R上；将输出电压VO经过处理，与误差放大器中的参考电压Vref进行比较，之后误差放大器输出相对应的输入电压VE到非隔离电源控制芯片；非隔离电源控制芯片通过误差放大器输出电压VE对占空比进行相应的调整，从而控制耦合电感主线圈LPRI中能量的存储，完成对输出电压VO的控制，大大增加了隔离电源设计的芯片选型范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 隔离 电源 芯片 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种基于非隔离电源芯片的隔离电源的控制方法，其特征在于：所述方法包括：耦合电感、开关Q1、二极管CR1、电容C以及电阻R；包括如下步骤：步骤1、接通电源VI，电压加载到耦合电感的主线圈LPRI中，能量储存直到功率开关Q1关闭；步骤2、从耦合电感的副线圈LSEC，通过输出二极管CR1将电压传送到输出电容C和负载电阻R上；步骤3、将输出电压VO经过处理，与误差放大器中的参考电压Vref进行比较，之后误差放大器输出相对应的输入电压VE到非隔离电源控制芯片；步骤4、非隔离电源控制芯片通过误差放大器输出电压VE对占空比进行相应的调整，从而控制耦合电感主线圈LPRI中能量的存储，完成对输出电压VO的控制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建星网智慧科技股份有限公司，未经福建星网智慧科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610307765.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
