[发明专利]快闪存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种快闪存储器的制造方法，在层间介质层体积侧墙开口表面沉积侧墙材料之后、进行侧墙刻蚀之前，增加了一步化学机械平坦化工艺来减薄该层间介质层上方的侧墙材料，使所述层间介质层上方的侧墙材料厚度不大于所述侧墙开口中的侧墙材料厚度，因此可以更好地监控侧墙刻蚀工艺的刻蚀停止点，避免侧墙开口底部的浅沟槽隔离结构表面过早暴露而遭到刻蚀，使浅沟槽隔离结构不低于有源区而继续保护有源区，在后续浮栅多晶硅刻蚀过程中不会出现有源区顶角凹陷问题，从而增强了浮栅多晶硅与有源区之间的隔离效果，提高了快闪存储器的数据保持能力。

主权项

一种快闪存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构及有源区，所述半导体衬底上依次形成有浮栅氧化层、浮栅多晶硅层以及层间介质层；刻蚀所述层间介质层，并停止至所述浮栅多晶硅层表面，以形成侧墙开口；在所述层间介质层表面以及所述侧墙开口暴露出的浮栅多晶硅层以及浅沟槽隔离结构的表面上沉积侧墙材料；采用化学机械平坦化工艺对所述层间介质层上方的侧墙材料进行减薄，使所述层间介质层上方的侧墙材料厚度不大于所述侧墙开口中的侧墙材料厚度；对剩余的侧墙材料进行侧墙刻蚀，以在所述侧墙开口侧壁形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，继续刻蚀所述侧墙开口中的浮栅多晶硅层和浮栅氧化层，直至暴露出下方的有源区表面。