[发明专利]一种磁性斯格明子材料有效
申请号: | 201610308496.8 | 申请日: | 2016-05-11 |
公开(公告)号: | CN105950941B | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 王文洪;张颖;刘恩克;吴光恒 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C22C30/00 | 分类号: | C22C30/00;G11C11/16 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人: | 王勇,王博 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种磁性斯格明子材料,其化学通式为(Mn100‑δNiδ)αGaβ,其中,61.6≤α≤69,15≤δ≤50,31≤β≤38.4,α+β=100,α、β、δ表示原子百分比含量。本发明的材料具有稳定的宽温域室温磁性斯格明子纳米磁筹结构,作为磁存储单元可在室温稳定工作,是理想的磁存储和信息转换等自旋电子学器件的候选材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁性 明子 材料 | ||
【主权项】:
一种磁性斯格明子材料,其化学通式为(Mn100‑δNiδ)αGaβ,其中,61.6≤α≤69,15≤δ≤50,31≤β≤38.4,α+β=100,α、β、δ表示原子百分比含量。
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