[发明专利]一种磁性斯格明子材料有效

专利信息
申请号: 201610308496.8 申请日: 2016-05-11
公开(公告)号: CN105950941B 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 王文洪;张颖;刘恩克;吴光恒 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C22C30/00 分类号: C22C30/00;G11C11/16
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 代理人: 王勇,王博
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种磁性斯格明子材料,其化学通式为(Mn100‑δNiδ)αGaβ,其中,61.6≤α≤69,15≤δ≤50,31≤β≤38.4,α+β=100,α、β、δ表示原子百分比含量。本发明的材料具有稳定的宽温域室温磁性斯格明子纳米磁筹结构,作为磁存储单元可在室温稳定工作,是理想的磁存储和信息转换等自旋电子学器件的候选材料。
搜索关键词: 一种 磁性 明子 材料
【主权项】:
一种磁性斯格明子材料,其化学通式为(Mn100‑δNiδ)αGaβ,其中,61.6≤α≤69,15≤δ≤50,31≤β≤38.4,α+β=100,α、β、δ表示原子百分比含量。
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