[发明专利]蓄电装置及其电极以及蓄电装置的制造方法在审
申请号: | 201610308836.7 | 申请日: | 2012-06-25 |
公开(公告)号: | CN105914338A | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 竹內敏彦;小国哲平;长多刚 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01M4/04 | 分类号: | H01M4/04;H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 叶晓勇;姜甜 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种充放电循环特性高且充放电容量高的蓄电装置。一种蓄电装置的电极,其包括:集电体及设置在该集电体上的活性物质层,其中所述活性物质层包括多个须状活性物质体,每一个所述多个须状活性物质体至少包括芯和以覆盖该芯的方式设置的外壳,所述外壳为非晶结构,所述集电体与所述活性物质体的所述芯之间的部分为非晶结构。此外,也可以设置金属层代替所述集电体,所述活性物质体也可以不具有所述芯,所述集电体与所述活性物质层之间也可以设置有混合层。 | ||
搜索关键词: | 装置 及其 电极 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种蓄电装置的制造方法,包括:使用包含硅的气体利用LPCVD法在集电体或金属层上形成包括须状非晶硅的活性材料层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610308836.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。