[发明专利]多阈值电压晶体管及其形成方法

摘要

一种多阈值电压晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有层间介质层和贯穿层间介质层的第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口，第一开口和第二开口底部的基底中掺杂有第一离子，第四开口和第五开口底部的基底中掺杂有第二离子；在六个开口的侧壁和底部依次叠层形成第一P型功函数层、第一阻挡层和第二P型功函数层；去除第一、四、五和六开口中的第二P型功函数层后，去除第四、五和六开口中的第一阻挡层；之后在六个开口的侧壁和底部依次叠层形成第一N型功函数层和第二N型功函数层；去除第一、二、三和四开口中的第二N型功函数层。所述方法简化了工艺并提高了性能。

主权项

1.一种多阈值电压晶体管的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底表面具有层间介质层和贯穿层间介质层的第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口，第一开口和第二开口底部的基底中掺杂有第一离子，第四开口和第五开口底部的基底中掺杂有第二离子；/n在第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口的侧壁和底部形成第一P型功函数层、位于第一P型功函数层上的第一阻挡层和位于第一阻挡层上的第二P型功函数层；/n去除第一开口、第四开口、第五开口和第六开口的侧壁和底部的第二P型功函数层后，去除第四开口、第五开口和第六开口中的第一阻挡层；/n去除第四开口、第五开口和第六开口中的第一阻挡层后，在第一开口、第二开口、第三开口、第四开口、第五开口和第六开口的侧壁和底部形成第一N型功函数层和位于第一N型功函数层上的第二N型功函数层；/n去除第一开口、第二开口、第三开口和第四开口的侧壁和底部的第二N型功函数层。/n