[发明专利]绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法

摘要

本发明提供了一种绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数的提取方法。首先，在某一适当区间内测得不同衬底电压下的击穿电压，根据测试结果绘制击穿电压随衬底电压变化曲线图，提取曲线峰值对应的最优衬底电压Vsub。对于SOI横向功率二极管，根据公式和若已知顶层硅浓度、顶层硅厚度和埋氧层厚度中的任意两项，即可提取第三项。对于体硅横向功率二极管，根据公式和若已知外延层浓度、外延层厚度和衬底浓度中的任意两项，即可提取第三项。本发明为SOI和体硅横向功率二极管结构参数的提取提供了一种简单、非破坏性和高精度的方法。

主权项

一种绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法，其特征在于该方法包括如下步骤：步骤1：把横向功率二极管的正极接地，把衬底偏置到某一电压，而后逐渐升高负极电压，直到二极管发生击穿，测得击穿电压；步骤2：逐步改变衬底偏压，重复步骤1，测得一系列击穿电压；步骤3：根据所得数据，绘制出击穿电压随衬底电压的变化关系曲线图，通过选择测试区间，使曲线为开口向下抛物线；步骤4：求出最高击穿电压下所对应的衬底电压V_sub。