[发明专利]一种在蓝宝石衬底上生长石墨烯的方法在审
申请号: | 201610310853.4 | 申请日: | 2016-05-11 |
公开(公告)号: | CN105967174A | 公开(公告)日: | 2016-09-28 |
发明(设计)人: | 陈刚毅;梅劲 | 申请(专利权)人: | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04 |
代理公司: | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人: | 杨焕军 |
地址: | 241000 安徽省芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 一种在蓝宝石衬底上生长石墨烯的方法,包括以下步骤:将蓝宝石衬底置入化学气相沉积反应炉中;向反应炉中通入氢气,对蓝宝石衬底进行退火、清洁处理;向反应炉通入碳氢化合物和惰性气体的混合气体;向反应炉中通入氢气,对蓝宝石衬底下进行退火处理,得到石墨烯膜层。本发明在蓝宝石衬底上生长石墨烯层,使其与氮化物在界面连接处形成键能较弱的分子键,有利于氮化物外延层和蓝宝石衬底的无损伤剥离,使衬底可反复使用,降低衬底使用成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 蓝宝石 衬底 生长 石墨 方法 | ||
【主权项】:
一种在蓝宝石衬底上生长石墨烯的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、将蓝宝石衬底置入化学气相沉积反应炉中;步骤2、向反应炉中通入氢气,对蓝宝石衬底进行清洁、退火处理;步骤3、向反应炉通入碳氢化合物和惰性气体的混合气体;步骤4、向反应炉中通入氢气,对蓝宝石衬底下进行退火处理,得到石墨烯膜层。
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