[发明专利]一种 CMOS 图像传感器在审
申请号: | 201610310964.5 | 申请日: | 2016-05-11 |
公开(公告)号: | CN105762165A | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 邵泽旭 | 申请(专利权)人: | 江苏思特威电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/77 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 215513 江苏省苏州市常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制作方法,通过刻蚀减薄内部电路上钝化层的厚度,使内部电路感光区的厚度比外围电路薄,在不影响外围电路金属布线和感光区功能的情况下,有效地减小了感光区入射光线到光电二极管表面的传输距离,减少了光路传输过程中因光电子吸收和散射而产生的损失;通过对光电二极管上的介质层与钝化层进行刻蚀,并填充高折射率材料,使入射光线在所述高折射率材料中发生全反射,从而减小入射光因反射或折射而产生的损失,提高光电二极管的感光度,从而提高图像的显示效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种CMOS图像传感器,包括外围电路与内部电路,所述外围电路与内部电路均包括衬底、位于衬底上的各层金属层以及位于顶层的金属层上的钝化层,其特征在于,所述内部电路钝化层的厚度小于所述外围电路钝化层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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