[发明专利]一种 CMOS 图像传感器在审

专利信息
申请号: 201610310964.5 申请日: 2016-05-11
公开(公告)号: CN105762165A 公开(公告)日: 2016-07-13
发明(设计)人: 邵泽旭 申请(专利权)人: 江苏思特威电子科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/77
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 215513 江苏省苏州市常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种CMOS图像传感器及其制作方法,通过刻蚀减薄内部电路上钝化层的厚度,使内部电路感光区的厚度比外围电路薄,在不影响外围电路金属布线和感光区功能的情况下,有效地减小了感光区入射光线到光电二极管表面的传输距离,减少了光路传输过程中因光电子吸收和散射而产生的损失;通过对光电二极管上的介质层与钝化层进行刻蚀,并填充高折射率材料,使入射光线在所述高折射率材料中发生全反射,从而减小入射光因反射或折射而产生的损失,提高光电二极管的感光度,从而提高图像的显示效果。
搜索关键词: 一种 cmos 图像传感器
【主权项】:
一种CMOS图像传感器,包括外围电路与内部电路,所述外围电路与内部电路均包括衬底、位于衬底上的各层金属层以及位于顶层的金属层上的钝化层,其特征在于,所述内部电路钝化层的厚度小于所述外围电路钝化层的厚度。
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