[发明专利]一种多层结构的SAW器件及其制备方法

摘要

本发明涉及声表波器件制造领域，特别涉及一种多层结构的SAW器件及其制备方法。该多层结构的SAW器件，从上至下依次包括叉指换能器、压电单晶薄片和Diamond薄膜。压电单晶薄片厚度1‑10nm粗糙度1‑10nm，其上制备有叉指换能器。叉指换能器厚度1‑10nm。Diamond薄膜厚度1‑10μm，粗糙度5‑10nm，制备于硅基上。本发明通过降低压电晶体的厚度，使其只是激发和接收声表面波，而声表面波的传播在金刚石内，在相同的叉指换能器指宽的情况下，能够显著提高器件的工作频率。可满足高频、高机电耦合系数、小体积的声表面波的器件应用领域的需求。

主权项

1.一种多层结构的SAW器件的制备方法，包括以下步骤：步骤1、用CVD法在硅基上生长Diamond薄膜，然后经过CMP抛光，制得Diamond薄膜厚度为1‑10μm，粗糙度为5‑10nm；步骤2、将压电单晶基片依次经过与Si基片键合、减薄、CMP抛光、Si基片剥离和清洗，获得厚度1‑10μm粗糙度1‑10nm的压电单晶薄片；步骤3、利用光刻技术，在步骤2制得的压电单晶薄片上制作叉指换能器图形；步骤4、通过溅射法，在步骤3制得的压电单晶薄片上制作一层厚度1‑10nm金属薄膜；然后经过去胶，形成叉指换能器；步骤5、利用键合技术将步骤4制得的压电单晶薄片与步骤1制备的Diamond薄膜键合，从而制得叉指换能器/压电单晶/Diamond多层结构的SAW器件。