[发明专利]薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置有效
| 申请号： | 201610311349.6 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105870198B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 白金超;郭会斌;洪永泰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法和显示装置，所述薄膜晶体管包括有源层、非晶硅连接层和源漏电极层。所述有源层具有沟道区、源极区和漏极区，所述沟道区的形成材料包括多晶硅；所述非晶硅连接层位于所述有源层的一侧，并且包括彼此间隔设置的第一连接部和第二连接部；所述源漏电极层包括彼此间隔设置的源极和漏极，所述源极通过所述第一连接部与所述源极区电连接，所述漏极通过所述第二连接部与所述漏极区电连接。本公开可以简化多晶硅薄膜晶体管的制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：有源层，具有沟道区、源极区和漏极区，其中，所述沟道区的形成材料包括多晶硅；非晶硅连接层，位于所述有源层的一侧，并且包括彼此间隔设置的第一连接部和第二连接部；以及源漏电极层，包括彼此间隔设置的源极和漏极，其中，所述源极通过所述第一连接部与所述源极区电连接，所述漏极通过所述第二连接部与所述漏极区电连接。
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