[发明专利]一种毫米波FET的建模方法有效
| 申请号： | 201610312615.7 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106021670B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 陈勇波 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种毫米波FET的建模方法，包括步骤：将毫米波FET划分为无源结构区的输入电极和输出电极，以及有源结构区的栅源漏电极；将有源结构区沿栅宽方向等分为若干一级子单元；计算多端口网络的输入电极S参数、输出电极S参数以及若干一级子单元S参数；将一级子单元等分为与栅指数目相等份数的二级子单元，计算二级子单元的本征参数；基于多端口网络的输入电极S参数、输出电极S参数、若干一级子单元S参数以及二级子单元的本征参数，以矩阵级联方式连接得到毫米波FET的模型。通过上述方式，本发明能够模拟毫米波信号在FET电极中传播时的行波效应的影响，模型精度更高，可用于频率外推，预测器件在更高频率的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 毫米波 fet 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种毫米波FET的建模方法，其特征在于，所述方法包括：将毫米波FET划分为无源结构区和有源结构区，其中所述无源结构区包括输入电极和输出电极，所述有源结构区为输入电极和输出电极之间的器件区域；将毫米波FET的有源结构区沿栅宽方向等分为若干一级子单元，使得每个所述一级子单元的栅宽小于或等于毫米波FET的工作波长的1/20；分别计算所述毫米波FET多端口网络的输入电极S参数、输出电极S参数以及所述若干一级子单元的S参数；将每个所述一级子单元等分为与所述毫米波FET的栅指数目相等的份数，得到若干二级子单元，计算每个二级子单元的本征参数；将所述多端口网络的输入电极S参数、所述若干一级子单元S参数以及所述输出电极S参数以矩阵级联方式依序连接得到毫米波FET的模型，其中每两个级联端口之间连接有一个二级子单元本征参数网络。
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