[发明专利]具有超势垒集电极结构的IGBT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610312628.4 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105932043A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;史建东;陈钱;刘永;李佳驹;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及具有超势垒集电极结构的IGBT器件及其制造方法。本发明器件的集电极结构通过MOS沟道,利用MOS的体效应降低了势垒高度，为电子创建一个“超势垒”，即此集电极结构势垒MOS比以往的IGBT背部PN结势垒电压低，因此本发明的IGBT在小于0.7V的电压下就可以开启，且该结构同样存在电导调制效应，减小了IGBT导通时的正向压降。关断时，集电极处于开启状态的MOS沟道加快了发射极附近的过剩载流子的抽取过程。因此，本发明发射极采用超势垒结构的IGBT，降低了开关损耗的同时，正向压降得以减小，开关优值得到大幅的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超势垒 集电极 结构 igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
具有超势垒集电极结构的IGBT器件，包括N‑漂移区(8)；所述N‑漂移区(8)上层两端分别具有第一P‑阱区(7)；所述第一P‑阱区(7)中具有第一N+区(5)和第一P+区(6)，所述第一P+区(6)位于器件外侧；所述N‑漂移区(8)上表面具有发射极金属(1)；所述发射区金属(1)中具有介质层(3)和位于介质层(3)中的栅电极(2)和栅氧化层(4)，所述栅电极(2)位于栅氧化层(4)的上表面；所述栅氧化层(4)的下表面与N‑漂移区(8)的上表面、第一P‑阱区(7)的上表面和部分第一N+区(5)的上表面接触；所述N‑漂移区(8)的下表面具有集电极金属(14)；其特征在于，所述N‑漂移区(8)的下层两端分别具有第二P‑阱区(10)；所述第二P‑阱区(10)中具有第二N+区(11)和第二P+区(9)，所述第二P+区(9)位于器件外侧；所述集电极金属(14)中具有超势垒MOS栅氧层(12)和位于超势垒MOS栅氧层(12)下表面的超势垒MOS栅电极(13)；所述超势垒MOS栅氧层(12)的上表面与N‑漂移区(8)的下表面、第二P‑阱区(10)的下表面和部分第二N+区(11)的下表面接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610312628.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：显示屏及其制造方法和显示装置
- 同类专利
- 专利分类
