[发明专利]一种银纳米线导电薄膜的处理方法在审
申请号: | 201610312744.6 | 申请日: | 2016-05-12 |
公开(公告)号: | CN105810364A | 公开(公告)日: | 2016-07-27 |
发明(设计)人: | 刘举庆;黄维;刘洋;曹立君 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B1/02 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 张芳 |
地址: | 210009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种银纳米线导电薄膜的处理方法,属于柔性电子材料与薄膜技术领域。该方法主要通过酸处理银纳米线导电薄膜,提高银纳米线导电薄膜的光电性能。本发明的处理方法具有以下优点:(1)工艺简单,容易操作;(2)高效去除银纳米线薄膜表面的氧化银;(3)改善了银纳米线薄膜表面平整度;(4)提高了银纳米线薄膜的导电性,降低了薄膜的方阻。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 导电 薄膜 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种银纳米线导电薄膜的处理方法,其特征在于:包括以下步骤:1)采用多元醇法合成银纳米线,然后配置银纳米线乙醇溶液,备用;2)清洗载玻片,分别在去离子水、乙醇、异丙醇中超声清洗,吹干备用;3)采用步骤1)的银纳米线乙醇溶液和步骤2)的载玻片利用旋涂法制备银纳米线导电薄膜,室温下干燥0.5‑2h,测试其方阻;4)用去离子水配置一定浓度的稀酸溶液;5)将步骤3)中制备的银纳米线导电薄膜浸入稀酸溶液中一段时间,取出再浸入去离子水中并快速取出,N2吹干,室温下干燥1‑4h,测试其方阻。
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