[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610312968.7 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105932044B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 村川浩一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括：具有第一区和第二区的第一导电类型的半导体主体，第一区是有源区，在所述有源区中形成有包括源极、漏极和栅极的晶体管元件，第二区包围第一区，半导体主体在平面图中具有四边形形状；形成在半导体主体的上方的绝缘膜；形成在绝缘膜中以包围有源区的环形电极图案，其在四边形形状的角处具有弯曲部分；连接到源极并且形成在有源区中的绝缘膜中的第一导电条；与第一导电类型相反的第二导电类型的第一扩散区，其形成在半导体主体中并且在第二区中；连接到第一半导体区和环形电极图案的第二导电条，其中第二导电条覆盖有绝缘膜且设置在半导体主体的第二区中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体主体，所述半导体主体具有第一区和第二区，所述第一区是有源区，在所述有源区中形成有包括源极、漏极和栅极的晶体管元件，所述第二区包围所述第一区，所述半导体主体在平面图中具有四边形形状；绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述半导体主体的上方；环形电极图案，所述环形电极图案形成在所述绝缘膜中以包围所述有源区，并且在所述四边形形状的角处具有弯曲部分；第一导电条，所述第一导电条连接到所述源极并且形成在所述有源区中的所述绝缘膜中；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一扩散区，所述第一扩散区形成在所述半导体主体中并且在所述第二区中；以及第二导电条，所述第二导电条连接到所述第一半导体区和所述环形电极图案，其中所述第二导电条覆盖有所述绝缘膜，并且设置在所述导电主体的所述第二区中。
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