[发明专利]晶体管器件、电子设备以及形成晶体管器件的方法有效
| 申请号： | 201610313170.4 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105826390B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | G·A·格拉斯;A·S·默西;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体管器件、电子设备以及形成晶体管器件的方法。公开了用于形成晶体管器件的技术，其相对于常规器件具有减小的寄生接触电阻。该技术例如可以使用标准接触部堆叠体来实现，所述标准接触部堆叠体例如为在硅或硅锗(SiGe)源极/漏极区上的一系列金属。根据一个示例性的此类实施例，在源极/漏极与接触部金属之间提供中间硼掺杂锗层，以显著减小接触电阻。根据本公开内容，多种晶体管结构和适合的制造工艺会是显而易见的，包括平面和非平面晶体管结构(例如，FinFET)，以及应变的和未应变的沟道结构。分级的缓冲部可以用于减小错配位错。这些技术尤其适合于实现p型器件，但如有需要也可以用于n型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 电子设备 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管器件，包括：具有沟道区的衬底；与所述沟道区相邻的源极区和漏极区；以及在所述源极区和所述漏极区的至少一部分上的硼掺杂锗层，所述硼掺杂锗层具有超过90原子％的锗浓度和超过1E20cm‑3的硼浓度。
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