[发明专利]Cf/MC-SiC复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610313217.7 申请日: 2016-05-12
公开(公告)号: CN106007766B 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 严春雷;刘荣军;曹英斌;张长瑞;王衍飞;龙宪海;李斌;王思青 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: C04B35/83 分类号: C04B35/83;C04B35/65;C04B35/565;C04B38/02
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 赵洪
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种Cf/MC‑SiC复合材料及其制备方法,该Cf/MC‑SiC复合材料包括碳纤维预制件、MC基体和SiC基体,M为Zr或Hf,所述MC基体和SiC基体均匀填充于所述碳纤维预制件的孔隙中,所述Cf/MC‑SiC复合材料中,所述MC基体的体积分数为10%~20%,所述SiC基体的体积分数为20%~30%,开孔率为2%~10%。制备方法包括以下步骤:(1)先驱体浸渍裂解制备Cf/MC素坯;(2)制备Cf/MC‑C素坯;(3)气相渗硅方法制备Cf/MC‑SiC复合材料。该Cf/MC‑SiC复合材料具有MC基体含量高、孔隙率低、热导率高、抗氧化和耐烧蚀且力学性能优异等优点,其制备方法工艺简单,易于实现。
搜索关键词: cf mc sic 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种Cf/MC‑SiC复合材料,包括碳纤维预制件、MC基体和SiC基体,M为Zr或Hf,其特征在于,所述MC基体和SiC基体均匀填充于所述碳纤维预制件的孔隙中,所述Cf/MC‑SiC复合材料中,所述MC基体的体积分数为10%~20%,所述SiC基体的体积分数为20%~30%,开孔率为2%~10%,所述Cf/MC‑SiC复合材料的制备方法包括如下步骤:(1)制备Cf/MC素坯:(1.1)将碳纤维预制件在MC陶瓷先驱体溶液中真空浸渍,裂解,重复浸渍‑裂解过程,得到Cf/MC复合材料中间体;所述真空浸渍的时间为3h~12h,真空度为50Pa~500Pa;所述裂解气氛为氩气气氛,温度为600℃~1100℃,裂解时间为0.5h~2h,所述浸渍‑裂解过程重复次数为10次~16次;(1.2)将步骤(1.1)所得Cf/MC复合材料中间体在真空条件下热处理,得到Cf/MC素坯;所述热处理温度为1200~1600℃,时间为1h~3h,真空度为1Pa~100Pa;(2)制备Cf/MC‑C素坯:将Cf/MC素坯在树脂溶液中真空浸渍,裂解,重复浸渍‑裂解过程,得到Cf/MC‑C素坯;(3)制备Cf/MC‑SiC复合材料:采用气相渗硅方法将Cf/MC‑C素坯进行反应烧结,得到Cf/MC‑SiC复合材料。
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