[发明专利]一种量子阱结构的大功率半绝缘AlGaAs/GaAs光导开关及制作方法

摘要

本发明公开了量子阱结构的大功率半绝缘AlGaAs/GaAs光导开关，包括GaAs基层，所述GaAs基层的电极面的电极区域上外延生长一层高掺杂n+‑GaAs，高掺杂n+‑GaAs层表面淀积有金属层，GaAs基层电极面的电极之间生长一层高反膜，述GaAs基层背电极面外延生长一层AlGaAs，AlGaAs层与GaAs基层之间形成三角形势阱结构AlGaAs表面生长一层增透膜，光导开关的导通电阻小于为0.45Ω。本发明在使用波长1064 nm、能量5.4mJ、触发激光脉宽25 ns的激光脉冲触发光导开关，在脉冲电压9.8 kV时，光导开关的导通电阻仅为0.45Ω,开关在工作电压9.8kV、重复频率1kHz条件下寿命大于100万次，大大提高了光导开关的使用寿命。

主权项

一种量子阱结构的大功率半绝缘AlGaAs/GaAs光导开关，其特征在于包括GaAs基层，所述GaAs基层的电极面的电极区域上外延生长一层高掺杂n+‑GaAs，所述高掺杂n+‑GaAs层表面淀积有金属层，所述GaAs基层电极面的电极之间生长一层高反膜，所述GaAs基层背电极面外延生长一层AlGaAs，所述AlGaAs层与GaAs基层之间形成三角形势阱结构，所述AlGaAs表面生长一层增透膜，所述AlGaAs/GaAs光导开关的导通电阻为0.45 Ω。