[发明专利]一种二氧化锡纳米花及其制备方法

摘要

本发明涉及一种氧化锡纳米花及其制备方法。该二氧化锡纳米花由纳米片组成，单片片层厚度在10纳米~20纳米之间，多片二氧化锡纳米片沿同一方向堆叠，形成一种多层、有序的堆叠体。该纳米花为分等级结构，单分散性和结晶性良好，比表面积大。其具体制备方法如下将亚锡盐或锡盐溶于去离子水中搅拌溶解，随后加入碱液，搅拌均匀后，通过一步水热处理得到多级结构的二氧化锡纳米花。该制备方法工艺和流程简便，参数可调范围宽，可重复性强，成本低，过程不使用有毒有机溶剂，对环境无污染，是一种具备商业前景的制备方法。所制备的二氧化锡纳米花在污染气体检测、能源存储、新能源制备等领域都有较高的应用价值。

主权项

一种二氧化锡纳米花的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将亚锡盐或锡盐溶于去离子水中，搅拌至溶解，溶液浓度为0.008‑0.02摩尔/升；（2）将碱溶液滴加到溶有亚锡盐或锡盐的水溶液中，边滴加边搅拌，形成均匀的悬浮液；（3）然后将悬浮液在高压反应釜中373‑473K的温度下进行水热反应处理10‑16小时，停止反应后，采用过滤或离心的方法将得到沉淀产物，然后用去离子水洗涤，经干燥后得到的目标物；步骤（1）中所述的亚锡盐或锡盐为无水或带有结晶水的氯化亚锡、草酸亚锡或四氯化锡中的一种，且浓度为0.008‑0.02摩尔/升；步骤（2）中加入的碱溶液，按照氢氧根离子与锡离子的物质的量之比进行计量，该比值为4‑6:1。