[发明专利]具有自检重置导线的磁场传感器有效
申请号: | 201610315860.3 | 申请日: | 2016-05-12 |
公开(公告)号: | CN105911490B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 李斌;蒋乐跃 | 申请(专利权)人: | 美新半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R33/00 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 庞聪雅 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种磁场传感器,其包括:基板,其具有第一表面;第一电桥电路,其包括多个第一磁场传感单元;第二电桥电路,其包括多个第二磁场传感单元,各个第一磁场传感单元的磁敏轴相互平行且与第一表面成第一预定角度,各个第二磁场传感单元的磁敏轴相互平行且与第一表面成第二预定角度;自检重置导线,其包括位于第一磁场传感单元之上或之下且与第一磁场传感单元的磁敏轴平行的第一倾斜部、位于第二磁场传感单元之上或之下且与第二磁场传感单元的磁敏轴平行的第二倾斜部。与现有技术相比,本发明基于同一自检重置导线就可以产生沿垂直于芯片表面的Z轴方向的磁场用于自检,还可以产生沿磁场传感单元的磁易轴方向的磁场用于重置/再重置。 1 | ||
搜索关键词: | 磁场传感单元 重置 磁敏 自检 第一表面 平行 磁场传感器 电桥电路 倾斜部 磁场 芯片表面 基板 易轴 垂直 | ||
基板,其具有第一表面;
第一电桥电路,其包括多个第一磁场传感单元;
第二电桥电路,其包括多个第二磁场传感单元,其中所述第一磁场传感单元和第二磁场传感单元均具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏轴,各个磁场传感单元的磁易轴互相平行,各个第一磁场传感单元的磁敏轴相互平行且与第一表面成第一预定角度,各个第二磁场传感单元的磁敏轴相互平行且与第一表面成第二预定角度;
自检重置导线,其包括位于第一磁场传感单元之上或之下且与所述第一磁场传感单元的磁敏轴平行的第一倾斜部、位于第二磁场传感单元之上或之下且与所述第二磁场传感单元的磁敏轴平行的第二倾斜部以及位于所述基板的第一表面之上并与所述基板的第一表面平行的平坦部,
其中第一预定角度和第二预定角度均大于0度小于90度。
2.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于,其还包括:位于所述基板的第一表面上的多个凸块,每个凸块包括相对的第一倾斜表面和第二倾斜表面,第一倾斜表面相对于第一表面成第一预定角度,第二倾斜表面相对于第一表面成第二预定角度,所述凸块为纵长条形,其延伸方向均与所述磁易轴方向平行,
第一磁场传感单元和第一倾斜部位于所述凸块的第一倾斜表面之上,
第二磁场传感单元和第二倾斜部位于所述凸块的第二倾斜表面之上。
3.根据权利要求2所述的磁场传感器,其特征在于,所述凸块为梯形横截面,其具有顶面,
所述自检重置导线还包括有位于所述多个凸块的顶面之上并与所述顶面平行的连接部,所述连接部位于第一倾斜部和第二倾斜部的顶部之间,
第一倾斜部和第二倾斜部的底部之间具有平坦部。
4.根据权利要求2所述的磁场传感器,其特征在于,每个凸块为三角形横截面,
所述自检重置导线的第一倾斜部与第二倾斜部的顶部相连,
第一倾斜部和第二倾斜部的底部之间具有平坦部。
5.根据权利要求2所述的磁场传感器,其特征在于,第一磁场传感单元位于第一倾斜表面和第一倾斜部之间,第二磁场传感单元位于第二倾斜表面和第二倾斜部之间,或者,
第一倾斜部位于第一磁场传感单元和第一倾斜表面之间,第二倾斜部位于第二磁场传感单元位于第二倾斜表面之间。
6.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于,其还包括:设置于第一磁场传感单元、第二磁场传感单元和所述自检重置导线之间的绝缘层。
7.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于,所述自检重置导线延伸形成螺旋形状,横跨多个第一磁场传感单元和多个第二磁场传感单元,其具有第一连接端和第二连接端。8.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于,其具有重置/再重置模式和自检模式,在重置/再重置模式时,使所述自检重置导线上流过第一电流,产生第一磁场,该第一磁场重置/再重置该第一磁场传感单元和第二磁场传感单元使得该第一磁场传感单元和第二磁场传感单元的磁畴方向回到所述磁易轴的方向;
在自检模式时,使所述自检重置导线上流过预知的第二电流,产生预知的第二磁场,该第二磁场使得第一磁场传感单元和第二磁场传感单元的磁阻发生变化,从而实现Z轴磁场感应的自检,Z轴为垂直于第一表面的轴,
该第二电流小于第一电流。
9.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于,所述第一磁场传感单元和第二磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸纵长磁阻条和形成与所述磁阻条上的并与所述磁阻条成预定夹角的相互平行的若干个导电条,其中所述磁阻条由铁、钴、镍、钴铁硼合金或镍铁合金制成。10.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于,其还包括:第三电桥电路,其包括多个第三磁场传感单元,其中第三磁场传感单元具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏轴,各个第三磁场传感单元的磁易轴互相平行且与第一磁场传感单元的磁易轴垂直,各个第三磁场传感单元的磁敏轴相互平行且与第一表面平行。
11.根据权利要求1所述的磁场传感器,其特征在于,第一预定角度和第二预定角度均大于30度小于50度。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美新半导体(无锡)有限公司,未经美新半导体(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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