[发明专利]阵列基板及其断线修复方法有效
申请号: | 201610315905.7 | 申请日: | 2016-05-12 |
公开(公告)号: | CN105807517B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 陈方甫;杨一峰;罗东 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/13 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其断线修复方法。当阵列基板的栅极线(20)出现断线时,所述断线修复方法包括:将阵列基板的像素电极层(80)、第二钝化层(70)及有机层(60)去除;在阵列基板的第一钝化层(50)上形成绝缘保护层(90);在所述绝缘保护层(90)上形成金属长线(100);其中,所述金属长线(100)的一端连接到断线处一侧的栅极线(20),所述金属长线(100)的另一端连接到断线处另一侧的栅极线(20)。本发明通过在第一钝化层上形成绝缘保护层之后,再在绝缘保护层上形成金属长线来连接修复断开的栅极线,这样能够避免金属长线与第一钝化层之下的数据线接触而导致的数据线与栅极线出现的短路现象。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 断线 修复 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的断线修复方法,其特征在于,当阵列基板的栅极线(20)出现断线时,所述断线修复方法包括:将阵列基板的像素电极层(80)、第二钝化层(70)及有机层(60)去除;在阵列基板的数据线(40)上的第一钝化层(50)上形成绝缘保护层(90);在所述第一钝化层(50)的至少部分被去除而裸露所述数据线(40)时在所述绝缘保护层(90)上形成位于数据线(40)之上的金属长线(100);其中,所述金属长线(100)的一端连接到断线处一侧的栅极线(20),所述金属长线(100)的另一端连接到断线处另一侧的栅极线(20)。
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