[发明专利]一种氧化亚铜基多叠层异质结太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201610316088.7 | 申请日: | 2016-05-11 |
公开(公告)号: | CN105762219B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 臧志刚;魏靖;叶颖;唐孝生 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | H01L31/0725 | 分类号: | H01L31/0725;H01L31/032;H01L31/0328 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 400044 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种氧化亚铜基多叠层异质结太阳能电池器件的制备方法,所述电池包括玻璃衬底;N‑Na共掺杂Cu2O薄膜层,形成在所述玻璃衬底的一面;AgInZnS量子点层,形成在所述N‑Na共掺杂Cu2O薄膜层上;ZnO透明层,形成在所述AgInZnS量子点层上;阴阳两极,阴极位于所述ZnO透明层上,阳极位于所述N‑Na共掺杂Cu2O薄膜层上。本发明利用AgInZnS量子点作ZnO/Cu2O异质结电池的中间层材料,拓展吸收光谱范围,可望增强光的吸收和转化。同时,AgInZnS量子点可实现调节各材料能级之间的匹配,加速电子和空穴的分离,提高电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化亚铜 基多 叠层异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氧化亚铜基多叠层异质结太阳能电池,其特征在于,所述电池包括:玻璃衬底;N‑Na共掺杂Cu2O薄膜层,形成在所述玻璃衬底的一面;AgInZnS量子点层,形成在所述N‑Na共掺杂Cu2O薄膜层上;ZnO透明层,形成在所述AgInZnS量子点层上;阴阳电极,阴极位于所述ZnO透明层上,阳极位于所述N‑Na共掺杂Cu2O薄膜层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学,未经重庆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610316088.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的