[发明专利]光纤温度传感器及其硫化镉薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610316151.7 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107365983B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 董玉明;岳孟果;杨春雷;冯丽丽;焦国华;鲁远甫;罗阿郁;吕建成 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C23C18/31 | 分类号： | C23C18/31;G01K11/32 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;侯艺 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光纤温度传感器硫化镉薄膜的制备方法，包括如下步骤：将光纤固定于插芯后，将所述光纤的裸露端面打磨；镀膜：将硫脲、硫酸镉和氨水按照质量‑体积比为5.694g:0.184g：45mL混合溶于去离子水中形成反应液；然后将所述裸露端面插入所述反应液中，利用化学水浴法在温度为65℃，反应9min，完成一次硫化镉薄膜的镀膜；重复所述镀膜步骤至n次，获得沉积有n+1层硫化镉薄膜的裸露端面，n为大于0的自然数；将经过所述重复镀膜步骤获得的光纤在200℃温度下退火处理。本发明采用化学水浴法镀硫化镉薄膜，这种方法可使硫化镉膜与光纤端面紧密结合，且镀膜厚度可控。 | ||
| 搜索关键词： | 光纤 温度传感器 及其 硫化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光纤温度传感器硫化镉薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将光纤固定于插芯后，将所述光纤的裸露端面打磨；镀膜：将硫脲、硫酸镉与氨水混合溶于去离子水中形成反应液；所述硫脲、硫酸镉的物质的量比为12～110:1；所述氨水体积为40～50mL；然后将所述裸露端面插入所述反应液中，利用化学水浴法在温度为60～70℃，完成一次硫化镉薄膜的镀膜；重复镀膜：重复所述镀膜步骤至n次，获得沉积有n+1层硫化镉薄膜的裸露端面，n为大于0的自然数；将经过所述重复镀膜步骤获得的光纤在180～220℃温度下退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳先进技术研究院，未经深圳先进技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610316151.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：纳米物体至束沉积结构的附接
- 下一篇：一种高附着性无硒常温发黑液
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
