[发明专利]一种采用光学区熔技术制备LaB6-VB2共晶复合材料的方法

摘要

本发明公开了一种采用光学区熔技术制备LaB6‑VB2共晶复合材料的方法，其特征在于首先通过放电等离子烧结获得LaB6‑VB2共晶预制体，然后将LaB6‑VB2共晶预制体置于光学区熔炉中，以氙灯作为加热源，在氩气氛围下以1‑1000mm/h的抽拉速度定向凝固，制得高质量的LaB6‑VB2共晶复合材料。本发明通过光学区熔技术制备的LaB6‑VB2共晶复合材料，以LaB6为基体、以VB2为纤维，纤维间距在0.56‑6.51μm范围内。

主权项

一种采用光学区熔技术制备LaB6‑VB2共晶复合材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、制备LaB6‑VB2共晶预制体以纯度不低于99.5％的VB2粉末和纯度不低于99％的LaB6粉末为原材料，按共晶相图的质量百分比配料、球磨、干燥，获得LaB6‑VB2混合粉末；将所述LaB6‑VB2混合粉末放入石墨模具内并预压成型，然后置于放电等离子烧结炉的炉腔内，抽真空、施加30MPa的轴向压力，升温至1600℃，保温10min，最后试样随炉冷却，在炉温低于50℃时取出试样，获得LaB6‑VB2共晶预制体；步骤二、电火花线切割LaB6‑VB2试棒用电火花线切割机将LaB6‑VB2共晶预制体切割成试棒，并将试棒置于酒精中超声波清洗，然后将清洗后试棒置于电热真空干燥箱内，100℃干燥10h；步骤三、LaB6‑VB2试棒定向凝固将两根试棒分别置于光学区熔炉的上抽拉杆和下抽拉杆上，调整使上、下试棒在合适的位置，然后装石英管，关闭炉门；向光学区熔炉中通入氩气，以不大于80℃/min的升温速率升温，使上、下试棒相互靠近的端面同时熔化；待熔区稳定后开始进行定向凝固，生长速率为1‑1000mm/h，即获得LaB6‑VB2共晶复合材料。